Ruszyła produkcja Snapdragona 835

Qualcomm i Samsung przedłużyli współpracę z myślą o produkcji najnowszego procesora z segmentu premium – Snapdragon 835 – z zastosowaniem 10 nanometrowej technologii FinFET.

W październiku Samsung ogłosił, że jako pierwsza firma w branży rozpocznie produkcję w technologii FinFET 10 nm na masową skalę. W porównaniu z poprzednią generacją FinFET 14 nm, 10-nanometrowa litografia umożliwia zwiększenie efektywności powierzchni o 30% przy wzroście wydajności rzędu niemal 30%, czy też obniżeniu zapotrzebowania na energię o 40%. Dzięki zastosowaniu FinFET 10 nm w procesorze Snapdragon 835 zmniejszy się powierzchnia chipa, dając producentom możliwość zastosowania większych baterii lub budowanie smuklejszych urządzeń. Nowy układ wprowadza również kolejną, bardziej udoskonaloną wersję technologii szybkiego ładowania Qualcomm Quick Charge 4.0.

Snapdragon 835 jest już w produkcji, a do urządzeń mobilnych trafi w pierwszej połowie 2017 roku. Jest on następcą procesora Snapdragon 820/21, opracowywanego w ponad 200 wersjach.

Źródło: Samsung