Samsung prezentuje nowy rodzaj pamięci masowej z przeznaczeniem dla urządzeń mobilnych

Galaxy S9 pewnie jeszcze jej nie otrzyma, ale S10 już z pewnością tak. Firma Samsung po kilkunastu miesiącach pracy opublikowała dane techniczne nowej pamięci masowej do smartfonów i tabletów.

Producent chwali się, że pamięć eUFS 512 GB będzie oferować najwyższą wydajność na rynku, która na głowę będzie bić szybkość kart pamięci microSD. Opracowana technologia składa się z ośmiu 64-warstwowych układów V-NAND oraz zaawansowanego kontrolera. Poprzednia pamięć stosowana przez Samsunga oferowała tylko 48 warstw układów V-NAND o maksymalnej pojemności 256 GB. W nowych modułach zastosowano autorskie, opatentowane rozwiązanie oszczędzenia energii, przez co nasz smartfon będzie pobierał znacznie mniej prądu.

Samsung eUFS 512 GB zapewnia prędkość odczytu sięgającą do 860 MB/s oraz zapisu wynoszącą 255 MB/s. Przy operacjach losowych nowa pamięć zapewni odczyt 42 000 IOPS i zapis 40 000 IOPS. Producent już teraz zapowiedział, że zamierza rozwijać opracowaną technologię, więc niewykluczone, że już niebawem poznamy szczegóły bardziej pojemniejszych pamięci eUFS.